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IXTK 120N25
200
Fig. 7. Input Adm ittance
140
Fig. 8. Transconductance
180
160
140
120
100
80
120
100
80
60
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
9
8
7
6
5
V DS = 125V
I D = 60A
I G = 10mA
80
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
50
100
150
200
250
300
350
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard Bias Safe
Operating Area
T C = 25oC
C iss
100
R DS (on) Limit
1ms
25μs
1000
100
f = 1MHz
C oss
C rss
10
1
DC
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
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